Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук
(ИФП СО РАН)
26 августа 2022 г. 9:30 - 12:30
1. Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А3В5
Основными направлениями деятельности лаборатории являются:
  • Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур для СВЧ-электроники.
  • Разработка сверхминиатюрных излучателей на основе полупроводниковых квантовых наноструктур.
  • Новые подходы в анализе процессов эпитаксии на поверхности (001) полупроводников А3В5 на базе теории фазовых переходов.
  • Сверхструктурные переходы на поверхностях полупроводников А3В5 с адсорбатами.
2. Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии
Исследование атомных процессов на поверхности и в объеме на основе методов in situ. Исследование атомного строения наноструктур с помощью высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии. Развитие методов наноструктурирования поверхности с помощью электронной, ионной- и зондовой литографии.
3. Лаборатория физики и технологии гетероструктур
Исследование элементного и химического состава и электронной структуры поверхности твердых тел методом фотоэлектронной спектроскопии с угловым разрешением.
4. Лаборатория ближнепольной оптической спектроскопии и наносенсорики
Основными направлениями деятельности лаборатории являются:
  • Исследование оптических свойств полупроводниковых наноструктур с предельно малой концентрацией;
  • Развитие методов оптической наноскопии, включая плазмон-усиленное ближнепольное комбинационное рассеяние света (КРС), ИК поглощение и фотолюминесценцию (ФЛ);
  • Разработка физических основ для создания фотонных и плазмонных наносенсоров для оптического детектирования и спектрального анализа предельно малых концентраций неорганических и органических нанообъектов.
Регистрация на экскурсию в ИФП СО РАН
26 августа 2022 г. 9:30 - 12:30
Закрыта.